尽管三星仍在为12层堆叠的HBM3E获取英伟达认证而死力玉足吧，然则并莫得减速下一代HBM居品的开发方式。早些时候有报说念称，三星将在年底前流片HBM4，属于第六代HBM居品，此举被以为是为2025年底大范围坐蓐奠定基础。

早在数月前，濒临日益增长的商场需乞降内存行业的捏续复苏，三星弃取在其平泽P4工场成就1cnm工艺的DRAM坐蓐线，探究是在2025年6月启动量产。据TrendForce报说念，已启动向Lam Research等合营伙伴订购开发，以便在平泽P4工场建造1cnm DRAM坐蓐线，瞻望2025年第一季度启动进行装置，为HBM4量产铺平说念路。

其实之前三星就已拼装了1cnm工艺的DRAM坐蓐线，不外仅限于试产，况兼还取得了可以的发挥。若是1cnm DRAM坐蓐线运转清雅，且能获取踏实的收益率，那么三星还可能追加寥落的投资，进一步扩大产能。1cnm属于第六代10nm级别工艺，电道路宽约为11-12nm，高出于现存第五代10nm级别的1bnm，瞻望来岁启动全面参预交易化坐蓐。

三星的HBM4为12层垂直堆叠玉足吧，筹谋弃取4nm工艺坐蓐基础裸片，并聘用1cnm工艺制造DRAM芯片。三星现在聘用10nm工艺坐蓐HBM3E的基础裸片，在新一代HBM4上换成4nm工艺可以增强其在HBM领域的竞争上风。三星但愿在HBM4量产上可以追上SK海力士，从头夺回HBM商场的指点地位。